【第一參賽人/留學(xué)人員】張曹
【留學(xué)國家】英國
【技術(shù)領(lǐng)域】新一代信息技術(shù)
【參賽屆次】第6屆
【所獲獎項】入圍
【項目簡介】
第三代半導(dǎo)體器件關(guān)系著我國新能源汽車、5G、工業(yè)自動化等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,是我國推動“新基建”的關(guān)鍵。隨著摩爾定律走向納米極限和第三代半導(dǎo)體SiC、GaN器件的研發(fā)創(chuàng)新,超聲波技術(shù)在封裝領(lǐng)域的應(yīng)用日益受到關(guān)注。為此,歐美日等裝備研發(fā)企業(yè)紛紛引進(jìn)超聲技術(shù),推動裝備創(chuàng)新,支撐先進(jìn)封裝制程的需要。例如,日本Disco開發(fā)了超聲切割設(shè)備用于SiC晶圓的切割;瑞士Besi開發(fā)了超聲貼片設(shè)備,實現(xiàn)功率芯片在引線框架上的高效率貼裝;美國Branson開發(fā)了玻璃陶瓷的超聲封裝設(shè)備。本項目專注于半導(dǎo)體超聲封裝這一共性技術(shù),從最核心的超聲電源與應(yīng)用工藝出發(fā),推動裝備的國產(chǎn)化,并為客戶提供完整解決方案。目前,本項目已經(jīng)成功開發(fā)了小功率超聲電源,實現(xiàn)了超聲微連接設(shè)備的國產(chǎn)化,并在國內(nèi)首次突破了超聲電源的寬頻技術(shù)與動態(tài)監(jiān)控技術(shù),該設(shè)備可以應(yīng)用于芯片貼片、傳感器封裝、光電玻璃、顯示面板等多個領(lǐng)域。未來,本項目將基于我們的研發(fā)優(yōu)勢,將建立超聲系統(tǒng)研發(fā)平臺與工藝驗證平臺,開發(fā)多頻率、多功率的超聲設(shè)備,滿足各種應(yīng)用需要,推動裝備國產(chǎn)化。
【展開】
【收起】